හායිත පෙදෙස
සිලිකන් හෝ ජර්මේනියම් නිසග අර්ධ සන්නායකයක එක් පැත්තක් III වන කාණ්ඩයේ මූලද්‍රව්‍යයකින් මාත්‍රණය කොට p - වර්ගයේ අර්ධ සන්නායකයකුත් අනෙක් පැත්ත V වන කාණ්ඩයේ මූලද්‍රව්‍යයකින් මාත්‍රණය කොට n - වර්ගයේ අර්ධ සන්නායකයකුත් සෑදූ විට එහි මැද p - n සන්ධියක් සෑදෙයි. මෙවැනි සන්ධියක් සාමාන්‍ය සන්නායකයකට වෙනස් ලෙස විද්‍යුත් වශයෙන් හැසිරෙයි.
රූපයක් එක් කළ යුතුය
p - n සන්ධිය සෑදුණු වහාම n - ප්‍රදේශයේ ඇති නිදහස් ඉලෙක්ට්‍රෝන සන්ධිය හරහා p - ප්‍රදේශය දෙසට විසරණය වන අතර p - ප්‍රදේශයේ ඇති කුහර n - ප්‍රදේශය දෙසට විසරණය වේ. මෙම විසරණය නිසා කුහරවලට ඉලෙක්ට්‍රෝන සංයෝජනය වී වාහක මුක්ත කලාපයක් සන්ධිය අසළ නිර්මාණය වේ.
හායිත පෙදෙස
මෙම කලාපය හීන ස්තරය හෙවත් හායිත පෙදෙස (depletion region) ලෙස හැඳින්වේ. හායිත පෙදෙසේ p - ප්‍රදේශයට අයත් කොටසට අමතර ඉලෙක්ට්‍රෝන ඇතුළු වී ඇති හෙයින් එම ප්‍රදේශය ඍණ ලෙසත් n ප්‍රදේශයට අයත් කොටසට අමතර ධන ආරෝපණ ඇතුළු වී ඇති හෙයින් එම ප්‍රදේශය ධන ලෙසත් පිහිටන පරිදි p - n සන්ධිය හරහා විභව අන්තරයක් ඇති වේ. මෙම විභව අන්තරය මගින් වාහක විකර්ෂණය වීම හේතු කොටගෙන සන්ධිය හරහා වාහක විසරණය නවතී. එබැවින් මෙම අවස්ථාවේ ඇතිව තිබෙන විභව අන්තරය විභව බාධකයක් ලෙස හඳුන්වනු ලැබේ.
| සන්ධිය | විභව බාධකය |
|---|---|
| සිලිකන් | ≈ 0.7 V |
| ජර්මේනියම් | ≈ 0.3 V |