n - වර්ගයේ අර්ධ සන්නායක
Si වැනි නිසග අර්ධ සන්නායකයකට පොස්පරස් (P) මූලද්‍රව්‍යය ඉතා ස්වල්පයක්, එනම් සිලිකන් පරමාණු මිලියනයකට පොස්පරස් පරමාණු එකක් පමණ මිශ්‍ර කළහොත් (මාත්‍රණය (doping) කළහොත්) සිදු වන දෑ සලකා බලමු.
පොස්පරස් ආවර්තිතා වගුවේ V වන කාණ්ඩයට අයිති මූලද්‍රව්‍යයක් වන අතර එහි බාහිර කවචයේ ඉලෙක්ට්‍රෝන පහක් පවතී. පොස්පරස් පරමාණුව වටා ඇති සිලිකන් පරමාණු හතරකින් ඉලෙක්ට්‍රෝන හතරක් ලබා ගෙන එහි බාහිර කවචයේ ඉලෙක්ට්‍රෝන සංඛ්‍යාව අටක් කර ගනී. මෙහි දී පොස්පරස් පරමාණුවේ ඉලෙක්ට්‍රෝන පහෙන් එකක් බන්ධනයකට සහභාගී නොවී ඉතිරි වේ. මෙම ඉලෙක්ට්‍රෝනයට දැලිස තුළ නිදහසේ චලනය වීමට අවස්ථාව ලැබේ.
රූපයක් එක් කළ යුතුය
n - වර්ගයේ අර්ධ සන්නායකය
මෙහි දී ඍණ ආරෝපිත ඉලෙක්ට්‍රෝන, ආරෝපණ වාහක ලෙස දැලිසට එකතු වන හෙයින් මෙලෙස මාත්‍රණය කළ Si, ඍණ වර්ගයේ (negative type) හෙවත් n- වර්ගයේ (n-type) අර්ධ සන්නායකයක් ලෙස හැඳින්වේ. නිසග අර්ධ සන්නායක ද්‍රව්‍යයකට වෙනත් මූලද්‍රව්‍යයක් මාත්‍රණය කිරීමෙන් වාහක සංඛ්‍යාව වැඩි වූ මෙවැනි අර්ධ සන්නායක බාහ්‍ය අර්ධ සන්නායක ලෙස හඳුන්වනු ලැබේ. පොස්පරස් වෙනුවට V වන කාණ්ඩයේ මූලද්‍රව්‍ය වන ආසනික් (As), ඇන්ටිමනිවලින් (Sb) ද n- වර්ගයේ බාහ්‍ය අර්ධ සන්නායක සාදා ගත හැකි ය. පස් වන කාණ්ඩයේ මූලද්‍රව්‍ය මගින් දැලිසට නිදහස් ඉලෙක්ට්‍රෝන ප්‍රදානය කෙරෙන නිසා ඒවා දායක පරමාණු ලෙස හැඳින්වේ.